IET-KY(4971)德州新廠年中投產,產能將大增5~6成,總經理高永中說,今年營運有三利器,包括汽車防撞雷達ADAS、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)及銻化鎵高階元件,新廠投產後,初期會有5條生產線導入,其中2台可生產高功率與高速砷化鎵VCSEL磊晶片,搶攻藍海商機。


高永中表示,今年營運最大動能來自VCSEL,營收占比可望由低個位數攀升至高個位數,明年營收占比朝1成的目標前進。法人預估,IET-KY今年產能大增,再加上高階產品導入,全年營收將成長10~15%。


由於IET-KY新廠位於蘋果3D感測供應商Finisar同一條街道,IET-KY拉晶廠原本在Finisar之中,現已遷移,但未來有望就近供應相關磊晶產品。


高永中表示,按目前進度,VCSEL將鎖定高階伺服器產品為主,明年將逐步朝消費性產品為主。這種說法,也間接證明Finisar打入蘋果3D感測的占比不大,主要供應鏈仍是Lumentum為主。


IET-KY去年每股盈餘(EPS)達3.56元,主攻砷化鎵磊晶,廠房位於美國德州,與全球第一大磊晶廠IQE,均是少數採用分子束磊晶(MBE)技術生產化合物半導體磊晶片的半導體廠。


高永中指出,目前營收主力仍以砷化鎵產品為主,占比5成以上,包括汽車防撞雷達晶片用於ADAS市場持續成長,新產品則是以VCSEL用於3D感測以及25G資料中心成長顯著;另銻化鎵高階元件製程發展、MBE硬體構件擴大市場,都是今年產品推廣的重點。


IET-KY今年起受惠美國政府調降企業所得稅,稅率並由35%大幅調降至21%,稅後淨利率有望走高。高永中表示,去年毛利率提升主要受惠於高毛利產品成長,加上推銷、管理、及研發等營業費用總額較前一年度略減525萬元所致,若加入營業外收支後,去年稅前盈餘達1.82億元,創歷年新高。


此外,高永中表示,今年也將完成新建廠房相關之產能擴充及人員配置,並新增多台大型機台以量產高功率與高速砷化鎵VCSEL磊晶片。


高永中指出,在磷化銦部份,除應用於大型資料庫PIN/APD和5G高頻通訊用InP-HBT磊晶片外,亦將與客戶繼續共同研發各項5G應用磊晶片產品,同時進行研發生物辨識磷化銦雷射磊晶片;銻化鎵部分則會與客戶共同研發生物光電檢測磊晶片,MBE硬體構件部份持續開始,全年營運持續走高。

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